覆蓋保護

覆蓋保護是指將麻袋和棉氈是吸水性較強的覆蓋材料覆蓋于新澆注混凝土的表面，回歇灑水保持濕潤,可獲得很好的養(yǎng)護效果。麻袋應(yīng)無膠料,并無損害或污染混凝土的物質(zhì)。新麻袋用前應(yīng)充分沖洗除去可溶性物質(zhì),增大吸水性。

采用厚度大于13pum的白色、黑色或透明的聚乙烯薄膜作為覆蓋材料。白色的能反射陽光宜在夏季使用，黑色的具有較高的吸熱作用，應(yīng)避免在夏季使用，而宜在氣溫較低的春秋季節(jié)使用?；炷翝补嗪笾灰慌c混凝土粘結(jié),應(yīng)盡早用薄膜將混凝土暴露部分覆蓋嚴實。通常混凝土表面的游商水消失后即加覆蓋。對路面及平板之類構(gòu)件,薄膜至少應(yīng)伸出板厚的兩倍，四周邊縫用砂、土或木條壓緊，以保證混凝土的封閉并防止薄膜被風(fēng)刮走。2100433B

對覆蓋義齒有不同的描述和名稱：如混合式（Hybrid Prosthesis ）修復(fù)體、套筒冠式（Telescoped denture）、上蓋式（Overlay denture）和覆蓋義齒式（Overdenture）。 一般英語稱“Overdenture”，描述其覆蓋的外形。

1. 根據(jù)基牙的功能不同分類

由于覆蓋基牙的高度、外形和是否有固位裝置是不同的，所起到的支持、穩(wěn)定、固位

作用是不同的。一般根據(jù)基牙的功能不同分為如下幾類:

（1）簡單覆蓋義齒

經(jīng)過完善的根管治療，并且其斷面在齦上留有一定高度（1.5毫米以上）的殘根可以用

作簡單覆蓋義齒。通過修整根面并將根管口用銀汞或樹脂充填后，不再進行進一步的處理，在其上制作覆蓋義齒，這種覆蓋義齒稱為簡單覆蓋義齒。這種覆蓋義齒的基牙僅能起到支持作用，能保持根周牙槽骨的高度。一般用于基牙條件較差，牙根較短，松動度明顯不適于進一步治療時；或因為經(jīng)濟原因，患者不希望進一步花費。有時，因為口內(nèi)余留牙較多，或無牙區(qū)牙槽嵴條件較好，估計義齒有足夠固位力時，也可對基牙僅作簡單覆蓋。

（2）根帽式覆蓋義齒

基牙經(jīng)過完善的根管治療，截冠處理后，在其外表制作一保護的金屬根帽，然后在其

上制作覆蓋義齒，這種覆蓋義齒稱為金屬根帽式覆蓋義齒。這種覆蓋義齒的基牙也僅能起到支持作用，能保持根周牙槽骨的高度。比簡單覆蓋義齒對基牙有一定的保護作用。因為基牙經(jīng)過截冠、修改外形后，暴露的牙本質(zhì)容易產(chǎn)生繼發(fā)齲。

（3）套筒冠式覆蓋義齒

基牙外表制作有垂直外壁或有一定聚攏度的外壁的金屬內(nèi)冠，義齒基托組織面安放與

內(nèi)冠高度吻合的金屬外冠，靠內(nèi)外冠之間的摩擦力產(chǎn)生固位的覆蓋義齒稱為套筒冠式覆蓋義齒。這種覆蓋義齒的基牙不僅有支持作用，而且有穩(wěn)定和固位作用。一般需要有良好的研磨冠制作技術(shù)，同時使用貴金屬材料較好，因此費用較高。

（4）附著體式覆蓋義齒

基牙根面安放附著體，如根帽式附著體、桿卡式附著體、磁性附著體等附著體增加固位作用。制作時需要有附著體預(yù)成件，如果與套筒冠技術(shù)同時使用，也需應(yīng)用研磨裝置。

2． 根據(jù)覆蓋義齒的范圍不同分類(Classification by Overlap Area of Overdentures )

根據(jù)覆蓋義齒的范圍分類，可分為覆蓋全口義齒和覆蓋可摘局部義齒兩類。前者是指

義齒覆蓋在整個牙弓上，外形如全口義齒，保留的天然牙僅有牙根；后者是指義齒覆蓋在部分牙弓上，尚有部分天然牙齒保留完整牙冠，外形如局部義齒，保留的天然牙上放置或不放置固位體。

3． 根據(jù)覆蓋基牙的成分不同分類(Classification by Abutment’s Composition )

（1） 天然牙支持式覆蓋義齒

指覆蓋基牙是天然牙牙根或牙冠的覆蓋義齒，一般沒有特指的覆蓋義齒均為此類覆蓋義齒。

（2）種植體支持式覆蓋義齒

指覆蓋在由種植體支持的基樁上的覆蓋義齒。有時也可由種植體和天然牙根共同支持覆蓋義齒。

覆蓋規(guī)劃是室內(nèi)分布系統(tǒng)建設(shè)中的重點內(nèi)容，首先是要確定覆蓋指標，然后確定天線口發(fā)射功率，最后確定天線分布。

不同的通信系統(tǒng)有不同的覆蓋指標，因此在室內(nèi)分布建設(shè)中，首先要確定系統(tǒng)的邊緣覆蓋指標。對于GSM系統(tǒng)是邊緣場強，對于WCMDA系統(tǒng)是導(dǎo)頻信號的RSCP和Ec/Io，對于LTE系統(tǒng)則是RSRP和SNR值。

邊緣場強主要取決于接收機的靈敏度、衰落余量和干擾余量。其中接收靈敏度與硬件設(shè)備有關(guān)，衰落余量及干擾余量與站點結(jié)構(gòu)和網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀有關(guān)，對于不同站點和區(qū)域應(yīng)有相應(yīng)調(diào)整。另外覆蓋邊緣場強的取定還與宏蜂窩的切換有關(guān)系。因此，建議在考慮覆蓋時，應(yīng)考慮不同的區(qū)域，設(shè)定不同的覆蓋邊緣場強。對于靠近窗口或建筑物外圍的地方，邊緣場強要求高一些；而對于建筑物中間區(qū)域，可適當?shù)鸵恍?

對于GSM系統(tǒng)只需要考慮邊緣場強指標即可。但是對于支持高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的WCDMA和LTE系統(tǒng)來說，還需要根據(jù)不同的覆蓋要求確定相應(yīng)的覆蓋指標。對于高數(shù)據(jù)量、中低數(shù)據(jù)量和語音覆蓋區(qū)域有不同的覆蓋指標，需要根據(jù)實際的覆蓋需求來確定。

確定覆蓋指標后就需要對天線口發(fā)射功率進行設(shè)計，天線口發(fā)射功率與邊緣場強和覆蓋目標范圍有直接關(guān)系，天線口發(fā)射功率主要考慮以下幾個因素。

國家電磁輻射標準

國家電磁輻射標準規(guī)定天線口發(fā)射功率不能高于15dBm。

最小耦合損耗（MCL）

MCL定義為基站和手機之間的最小耦合損耗，MCL的降低將會引起基站底噪的抬高，降低基站靈敏度，使其他手機很難接入。

MCL=手機到天線的自由空間損耗 天線到基站接收機的天饋系統(tǒng)損耗。

手機到天線的自由空間損耗通常取值1m的空間損耗。

天線到基站接收機的天饋系統(tǒng)損耗=基站功率?天線口功率。

由此可以算出：

最大天線口功率=基站功率?天饋系統(tǒng)損耗=基站功率?MCL 手機到天線的自由空間損耗。

可根據(jù)MCL的要求計算出的為天線口功率的上限，即最大天線口功率（不能超過15dBm）。

邊緣場強要求

為了滿足在天線覆蓋范圍內(nèi)，信號覆蓋能夠達到邊緣場強覆蓋的設(shè)計要求，可以計算出天線口功率的下限：

天線口功率下限=邊緣場強 自由空間損耗 隔斷損耗 陰影衰落余量

其中：自由空間損耗=20logf(MHz) 20logd(km) 32.4dB。隔斷損耗與建筑物結(jié)構(gòu)材料有關(guān)，可以通過模擬測試獲取，多徑衰落余量一般室內(nèi)取10dB。

由此可以根據(jù)邊緣場強計算出天線口發(fā)射功率的下限。

綜上所述，可以根據(jù)計算出的天線口發(fā)射功率的上限和下限進行天線分布的設(shè)計。

天線分布的設(shè)計主要有以下幾個原則。

–根據(jù)勘測結(jié)果和室內(nèi)建筑結(jié)構(gòu)，設(shè)置天線位置和選擇天線類型，設(shè)置在相鄰覆蓋目標區(qū)的交叉位置，保證其無線傳播環(huán)境良好，同時遵循天線最少化原則。

–根據(jù)覆蓋目標和范圍以及天線口功率的上下限合理設(shè)置天線口功率。

–對于層高較低，內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜的室內(nèi)環(huán)境，宜選用全向吸頂天線，宜采用低天線輸出功率、高天線密度的天線分布方式，以使功率分布均勻，覆蓋效果良好，如寫字樓、酒店等建筑。

–對于較空曠且以覆蓋為主的區(qū)域，由于無線傳播環(huán)境較好，宜采用高天線輸出功率、低天線密度的天線分布方式，滿足信號覆蓋和接收場強值要求即可，如地下車庫等區(qū)域。

–對于建筑邊緣的覆蓋，宜采用室內(nèi)定向天線，避免室內(nèi)信號過分泄漏到室外而造成干擾，根據(jù)安裝條件可選擇定向吸頂天線或定向板狀天線，如建筑一層出入口處、樓宇沿窗區(qū)域等。

–對于電梯的覆蓋，可采用3種方式：一是在各層電梯廳設(shè)置室內(nèi)吸頂天線；二是在信號屏蔽較嚴重的電梯或在電梯廳沒有安裝條件的情況下，在電梯井道內(nèi)設(shè)置方向性較強的定向天線；三是在電梯轎廂內(nèi)增設(shè)發(fā)射天線，布放隨梯電纜。較常用的為前兩種方式。應(yīng)盡量避免電梯內(nèi)的切換，以避免電梯運行過程中由于切換造成的掉話。

為了培肥地力和改良土壤，將生長中的田間牧草翻扣于土壤中是土壤培肥常見的實踐方式，這樣的作物一般被稱之為綠肥或覆蓋作物；由于在保護性耕作系統(tǒng)中，種植這些作物多是為了在正常作物沒能形成覆蓋層時，保護土壤免受侵蝕。

因此，被稱之為覆蓋作物（cover crop），它包括能保護土壤免遭風(fēng)蝕和水侵蝕的所有作物。覆蓋作物可以是一年生、二年生或多年生的草本植物，也可以是一種或多種草本植物類型混種。

護根物的缺陷是可能會滋生蛞蝓并阻擋小雨進入土壤。隨若有機護根物的腐爛，它們還會成為雜草的種子萌芽的絕佳位置 。