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利用MOCVD方法,在GaAs襯底上生長(zhǎng)了不同DBR結(jié)構(gòu)的紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片,并通過(guò)芯片工藝制成芯片。使用X-射線衍射儀(HRXRD)、光致發(fā)光儀(PL)、芯片光電測(cè)試儀等表征了外延片和芯片的性能,研究了紅光和黃綠光AlGaInP四元外延片的發(fā)光強(qiáng)度與DBR結(jié)構(gòu)的關(guān)系。結(jié)果表明,紅光AlGaInP LED芯片的發(fā)光強(qiáng)度高于黃綠光,其主要原因是黃綠光有源區(qū)的內(nèi)量子效率低和黃綠光DBR具有較小的反射率,從而導(dǎo)致較低的發(fā)光強(qiáng)度。本研究為今后LED全結(jié)構(gòu)的芯片亮度研究打下良好基礎(chǔ)。
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我們知道，光的波長(zhǎng)就是光在單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)的位移。 公式為 λ=TV=V/f 因?yàn)楣獾纳适?由光的波長(zhǎng)決定的， 而不同色光的光速都是相同的， 都等同光在真空中的速度， 而波長(zhǎng)不同 的跟本原因是因?yàn)椴煌獾念l率不相同，而波長(zhǎng)與頻率成反比，紅光的頻率最小，因此， 紅光波長(zhǎng)最長(zhǎng)。有關(guān)不同種類(lèi) LED 燈的波長(zhǎng)我們可以參照下表：
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