新型MOSFET滿足高速開關等三大關鍵性能

應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(onsemiconductor,美國納斯達克上市代號:onnn)推出帶開關控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級電源管理,用于便攜計算機及網(wǎng)絡設備等應用。

飛兆半導體公司擴展powertrenchmosfet系列，這些產品屬于中等電壓mosfet產品系列成員，是結合低柵極電荷、低反向恢復電荷和軟反向恢復體二極管的優(yōu)化功率開關產品，可以實現(xiàn)快速開關。這些器件備有40v、60v和80v額定電壓型款，

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術的首款器件——si7137dp,該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝,具備業(yè)內最低的導通電阻。

東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開關。這種小型開關非常適用于多波段/多模蜂窩天線開關組件、藍牙組件和無線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開關采用甚小低斷面無引線6針芯片級封

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術的首款器件——si7137dp，該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝，具備業(yè)內最低的導通電阻。

由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(fa)技術。在本文中,我們將討論一些專門為使用銅絲技術的元器件而開發(fā)的新型失效分析技術和工序。我們會將解釋為什么銅絲的處理方式和金絲不一樣,并且以功率mosfet器件為例,循序漸進地了解失效分析的過程,保存對失效器件進行有效分析所需要的所有證據(jù)。

介紹了三種大容量高速開關,一是爆炸式可恢復大容量高速開關柜,二是快速渦流驅動開關,三是快速永磁斷路器。比較了各開關的技術性能與特點。

電源系統(tǒng)開關控制器的mosfet選擇 dc/dc開關控制器的mosfet選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮mosfet的額定電壓 和電流并不足以選擇到合適的mosfet。要想讓mosfet維持在規(guī)定范圍以內，必須在低 柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。如 德州儀器(ti)的webench?電源設計師等在線設計工具可以簡化這一過程，讓用戶能夠根 據(jù)效率、體積和成本做出正確的選擇，從而達到理想的mosfet控制器設計目標。 圖1—降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖 dc/dc開關電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個 高側fet和低側fet的降壓同步開關穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個fet會根據(jù)控制器設 置的占空比進行開關操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方程式如下：

hsv高速開關閥 1 貴州紅林車用電控技術有限公司 hsv系列開關式高速電磁閥 hsv系列開關式高速電磁閥系列產品是我公司與美國bkm公司聯(lián)合研制、生 產的快速響應開關式數(shù)字閥，是一種用于機電液一體化中電子與液壓機構間理想的 接口元件。該系列產品結構緊湊、體積小、重量輕、響應快速、動作準確、重復性 好、抗污染能力強、內泄漏小、可靠性高。最顯著的特點是該產品能夠直接接受數(shù) 字信號對流體系統(tǒng)的壓力或流量進行pwm控制，該特點為數(shù)字控制進入液壓氣動 領域提供了有效手段。1992年該產品被評為國家級重點新產品并獲得貴州省科學技 術進步二等獎。 hsv高速電磁閥系列產品具有兩通常開、兩通常閉、三通常開、三通常閉四個 系列近200個品種；材料有碳鋼、不銹鋼兩種類別；工作方式可采用連續(xù)加載、脈 沖寬幅調制、頻率調制或脈寬——頻率混合調制。 hsv高速電磁閥系列產品的上述特點使該電

1高速開關轉閥專利介紹回顧電動機調速的發(fā)展歷程,在經過高能耗的變阻調速等之后,由于高速電子開關—大功率開關管的發(fā)明和電力電子理論的發(fā)展,開創(chuàng)了電動機數(shù)字調速的嶄新技術—變頻調速,目前變頻調速已成為電動機調速的主流技術。液壓調速則一直沿著模擬控制的路徑發(fā)展,從高能耗的伺服閥到比例閥的閥控節(jié)流調速,到相對高效的變量泵變量馬達的容積調速,包括負載敏感控制的變量調速技術,依舊沒有脫離模擬閥

文章介紹了一種新型的液壓高速開關閥,它采用了超磁致伸縮驅動器和錐體式閥芯結構。該閥具有很高的切換速度和頻率,可以用來作為大流量高速開關閥的先導控制閥,也可以在小流量回路中直接作為控制閥使用。

針對目前電液高速開關閥脈寬調制頻率不高,新型電-機械轉換裝置效率較低的現(xiàn)狀,研制了一種基于超磁致伸縮材料驅動的新型電液高速開關閥。介紹了其組成和工作原理,并研究了該閥的靜、動態(tài)特性。實驗研究表明,采用超磁致伸縮材料作為新型閥的電-機械轉換裝置,不僅可以獲得較大的閥芯位移,而且使閥的結構簡化,易于控制,可獲得很高的脈寬調制頻率和能量轉換效率。

通過對硅膜中最低電位點電位的修正,得到復合型柵氧化層薄膜雙柵mosfet亞閾值電流模型以及閾值電壓模型。利用medici軟件,針對薄膜雙柵mosfet,對四種復合型柵氧化層結構didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)進行了仿真。通過仿真可知:在復合型結構中,隨著介電常數(shù)差值的增大,薄膜雙柵器件的短溝道效應和熱載流子效應得到更有效的抑制,同時擊穿特性也得到改善。此外在亞閾值區(qū)中,亞閾值斜率也可以通過柵氧化層設計進行優(yōu)化,復合型結構器件的亞閾值斜率更小,性能更優(yōu)越。

意法半導體(st)推出一款用usb及高側負載開關應用的低壓p溝道m(xù)osfet電源開關st890。其工作電壓范圍在2.7到5.5v之間,內置具有過載保護功能的可編程限流電路,以及限制功耗和結溫的熱負載保護電路。應用于pcmcia和其它接入總線的插槽內,比如,在便攜設備中,在不斷電的情況下自由插拔的插接卡的卡槽。最大電流為1.2

針對適用于鋰電池保護電路特點要求的共漏極功率mosfet的封裝結構進行了研發(fā)和展望。從傳統(tǒng)的tssop-8發(fā)展到替代改進型sot-26,一直到芯片級尺寸的微型封裝外形,其封裝效率越來越高,接近100%。同時,在微互連和封裝結構的改進方面,逐漸向短引線或焊球無引線、平坦式引腳、超薄型封裝和漏極焊盤散熱片暴露的方向發(fā)展,增強了封裝的電性能和熱性能。

應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體（onsemiconductor，美國納斯達克上市代號：onnn）推出帶開關控制器的電流鏡cat2300，將這器件與安森美半導體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結合使用，

安森美半導體推出帶開關控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級電源管理,用于便攜計算機及網(wǎng)絡設備等應用。精確控制及匹配sensefet的sense輸出與cat2300的kelvin電壓引腳,確保sensefet完整工作范圍內的精確電流監(jiān)

對基于超磁致伸縮驅動器的高速液壓開關閥進行了初步的研究，設計了單和雙聯(lián)錐體式閥芯的高速開關閥結構，還對這種閥的主要性能參數(shù)做了簡要分析。

本文研究了開關電源中mosfet漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過提取mosfet漏源極時域電壓信號的特征參數(shù),對其波形進行了仿真,分析了該信號電磁干擾的頻譜特點,并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響,matlab仿真表明,該研究結果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價值。

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開關芯片

在現(xiàn)代工業(yè)生產中，熱連軋鋼板因其優(yōu)異的力學性能和廣泛的適用性而被廣泛應用。然而，在眾多類型的鋼材中選擇最適合特定項目的熱連軋鋼板并非易事。

從高速開關數(shù)字閥中的電磁技術理論出發(fā),研究了高速開關數(shù)字閥中的軟磁合金材料的選用原則,計算了電磁鐵設計的尺寸,給出了整個電磁鐵的設計結構和電磁鐵部分裝配元件清單。