更新日期: 2025-06-24

埋氧溝槽柵雙極模式JFET的仿真與實驗(英文)

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埋氧溝槽柵雙極模式JFET的仿真與實驗(英文) 4.5

提出了埋氧溝槽柵雙極模式JFET(BTB-JFET),其在柵極區(qū)域下面添加埋氧以減小柵漏電容Cgd.首次通過仿真對包括BTB-JFET、常規(guī)的無埋氧層的溝槽柵雙極模式JFET(TB-JFET)和現(xiàn)在正在廣泛應(yīng)用的Trench-MOSFET(T-MOSFET)等20V級的功率開關(guān)器件在高頻應(yīng)用時的功率損耗進(jìn)行了比較,得到有重要意義的結(jié)論.采用阻性負(fù)載電路.仿真結(jié)果表明,與T-MOSFET和常開型TB-JFET相比,常開型BTB-JFET在1MHz時開關(guān)功耗分別降低了37%和14%.進(jìn)行實驗以證明仿真工作的合理性,首次成功地制造出常開型BTB-JFET和TB-JFET,其中埋氧結(jié)構(gòu)是通過熱氧化的方法實現(xiàn)的.實驗結(jié)果表明,與TB-JFET相比,在源漏零偏壓時,BTB-JFET的Cgd減小了45%;在1MHz時,其開關(guān)時間與開關(guān)功耗分別降低了約7.4%和11%.因此常開型BTB-JFET應(yīng)是今后低壓高頻功率開關(guān)器件的研究發(fā)展方向.

快速功率開關(guān)—雙極型JFET向MOS和BJT提出挑戰(zhàn) 快速功率開關(guān)—雙極型JFET向MOS和BJT提出挑戰(zhàn) 快速功率開關(guān)—雙極型JFET向MOS和BJT提出挑戰(zhàn)

快速功率開關(guān)—雙極型JFET向MOS和BJT提出挑戰(zhàn)

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快速功率開關(guān)—雙極型JFET向MOS和BJT提出挑戰(zhàn)

溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究 溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究 溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究

溝槽柵功率MOSFET導(dǎo)通電阻的模擬研究

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為了進(jìn)一步降低溝槽柵功率mos器件的導(dǎo)通電阻,提出了一種改進(jìn)的trenchmosfet結(jié)構(gòu).借助成熟的器件仿真方法,詳細(xì)分析了外延層雜質(zhì)摻雜對器件導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的影響,通過對常規(guī)trenchmosfet和這種改進(jìn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真和比較,得出了擊穿電壓和導(dǎo)通電阻折中效果較好的一組器件參數(shù).模擬結(jié)果表明,在擊穿電壓基本相當(dāng)?shù)那闆r下,新結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻較之于常規(guī)結(jié)構(gòu)降低了18.8%.

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一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計

一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計

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一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 4.5

為了與傳感器相匹配,得到放大器的最小噪聲系數(shù),本文從對結(jié)型場效應(yīng)管的等效輸入電壓噪聲en及等效輸入電流噪聲in的分析中,得到結(jié)型場效應(yīng)管的最佳源電阻比雙極型晶體管要高出2~3個數(shù)量級的結(jié)論,并設(shè)計制作了一款結(jié)型場效應(yīng)管低噪聲前置放大器實用電路。并對其幅頻特性、輸入阻抗和等效輸入電壓噪聲進(jìn)行了測量,結(jié)果表明其輸入阻抗高達(dá)71mω,等效輸入電壓噪聲約為0.87nv/(hz)~(1/2),是一種適合于高內(nèi)阻傳感器的較為理想的低噪聲前置放大器電路,也可以通過阻抗變換后用于磁力儀等需要低噪聲放大的場所。

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一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計

一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計

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一款JFET低噪聲前置放大器的設(shè)計 4.6

在對級聯(lián)網(wǎng)絡(luò)及結(jié)型場效應(yīng)管的噪聲分析基礎(chǔ)上,采用結(jié)型場效應(yīng)管等分立元件設(shè)計了一款低噪聲前置放大器實用電路。并對其幅頻特性、輸入阻抗和等效輸入噪聲進(jìn)行了測量,結(jié)果表明其輸入阻抗高達(dá)71mω,等效輸入噪聲電壓為0.7nv/((hz)~(1/2)),是一種適合于較高內(nèi)阻傳感器的較理想的低噪聲前置放大器電路。

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Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET

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Rohm發(fā)布首款溝槽式碳化硅MOSFET 4.7

rohm最新發(fā)表了他們首次采用溝槽式結(jié)構(gòu)研制并大批量生產(chǎn)了碳化硅mosfet。與傳統(tǒng)平面式碳化硅mosfet相比,同樣芯片尺寸條件下,導(dǎo)通電阻降低了50%,極有可能也能大幅降低許多設(shè)備的功率損耗,如工業(yè)用轉(zhuǎn)換器和電源,電源和太陽能電力系統(tǒng)的電力調(diào)制器,太陽能功率系統(tǒng)調(diào)制器。近些年,世界范圍內(nèi)越來越多的研究開始關(guān)注電力供應(yīng)的解決方案,其中主要研究電源供應(yīng)的轉(zhuǎn)換和已產(chǎn)生電力的高效輸運。碳化硅功率器件因為能

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溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM 溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM

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溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展(下)——減小器件優(yōu)值FOM 4.5

隨著微電子行業(yè)的發(fā)展,微處理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作頻率越來越高等),這就要求其電流不斷增大。同時,為了降低功耗,電源電壓必須不斷降低。下一代處理器的供電電壓將會降到1.1v~1.8v,電流處理能力將達(dá)到

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DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計 DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計 DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計

DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計

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DC-DC轉(zhuǎn)換器中功率溝槽MOSFET的優(yōu)化設(shè)計 4.6

利用工藝和器件模擬軟件tsuprem-4和medici,研究了工藝參數(shù)對dc-dc轉(zhuǎn)換器中的功率溝槽mosfet的通態(tài)電阻ron、柵-漏電容cgd的影響以及柵-漏電荷qgd在開關(guān)過程中的變化,指出了在設(shè)計和工藝上減小通態(tài)電阻ron和柵-漏電容cgd,提高器件綜合性能的途徑。

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溝槽式MOSFET可有效延長移動裝置電池壽命 溝槽式MOSFET可有效延長移動裝置電池壽命 溝槽式MOSFET可有效延長移動裝置電池壽命

溝槽式MOSFET可有效延長移動裝置電池壽命

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溝槽式MOSFET可有效延長移動裝置電池壽命 4.6

隨著消費者對延長電池使用壽命和強(qiáng)大處理能力的期望愈來愈高,智能手機(jī)與平板電腦對充電和電池保護(hù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)的需求也同時與日俱增。其中,電池組保護(hù)電路模塊(pcm)中的共享泄極(common-drain)背對背(back-to-back)功率mosfet能夠?qū)Τ潆?放電進(jìn)行控制,并且可在發(fā)生短路、過電壓、欠電壓以及發(fā)生會損壞電器的

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導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減

導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減

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導(dǎo)入閘極屏蔽結(jié)構(gòu)令溝槽式MOSFET功耗銳減 4.6

如何得到更高的系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)代數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)的關(guān)鍵,因為一個小雨高效率的電源系統(tǒng),可以有效節(jié)省空間與能源費用。從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的角度來看,變壓器將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的同步整流,是許多應(yīng)用中開關(guān)電源二次側(cè)的主要模塊架構(gòu),此能改善能源轉(zhuǎn)換中的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。從元件的角度來看,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)在過去十年有長足的進(jìn)步,也因而衍生出新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高功率密度電源。

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埋氧溝槽柵雙極模式JFET的仿真與實驗精華文檔

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復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵MOSFET研究 復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵MOSFET研究 復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵MOSFET研究

復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵MOSFET研究

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復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵MOSFET研究 4.8

通過對硅膜中最低電位點電位的修正,得到復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵mosfet亞閾值電流模型以及閾值電壓模型。利用medici軟件,針對薄膜雙柵mosfet,對四種復(fù)合型柵氧化層結(jié)構(gòu)didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)進(jìn)行了仿真。通過仿真可知:在復(fù)合型結(jié)構(gòu)中,隨著介電常數(shù)差值的增大,薄膜雙柵器件的短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)得到更有效的抑制,同時擊穿特性也得到改善。此外在亞閾值區(qū)中,亞閾值斜率也可以通過柵氧化層設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化,復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件的亞閾值斜率更小,性能更優(yōu)越。

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溝槽柵IGBT深槽工藝研究 溝槽柵IGBT深槽工藝研究 溝槽柵IGBT深槽工藝研究

溝槽柵IGBT深槽工藝研究

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溝槽柵IGBT深槽工藝研究 4.4

基于lam4420反應(yīng)離子刻蝕(rie)設(shè)備和cl2氣體開發(fā)了適用于溝槽柵igbt的深槽等離子刻蝕工藝。通過調(diào)整hbr、o2和sf6等添加氣體含量得到了無底切、底角圓滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的溝槽;通過系統(tǒng)優(yōu)化氣體流量、氣壓、電極間距和rf功率等工藝參數(shù),得到了<5%的硅片內(nèi)不均勻性,刻蝕速率可達(dá)800nm/min。在完成cf4/ar刻蝕和犧牲氧化等后續(xù)工藝后,槽型得到進(jìn)一步改善。

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溝槽式襯板的應(yīng)用 溝槽式襯板的應(yīng)用 溝槽式襯板的應(yīng)用

溝槽式襯板的應(yīng)用

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溝槽式襯板的應(yīng)用 4.6

介紹了溝槽式襯板的結(jié)構(gòu)特點及研磨原理,為水泥、發(fā)電和選礦業(yè)提供了一種節(jié)能、節(jié)材、降耗、高效及提高產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)良襯板。對水泥業(yè)與國際標(biāo)準(zhǔn)接軌大有好處。同時還介紹了該襯板的化學(xué)成分和鑄造工藝。

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往復(fù)絲杠溝槽正弦過渡曲線的設(shè)計與仿真 往復(fù)絲杠溝槽正弦過渡曲線的設(shè)計與仿真 往復(fù)絲杠溝槽正弦過渡曲線的設(shè)計與仿真

往復(fù)絲杠溝槽正弦過渡曲線的設(shè)計與仿真

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往復(fù)絲杠溝槽正弦過渡曲線的設(shè)計與仿真 4.6

往復(fù)絲杠換向動作時的換向性能與其過渡曲線具有直接關(guān)系,在分析圓弧、拋物線作為往復(fù)絲杠溝槽轉(zhuǎn)向曲線時機(jī)構(gòu)的運動特性基礎(chǔ),提出正弦轉(zhuǎn)向曲線設(shè)想并推導(dǎo)其運動方程,分析其運動規(guī)律。結(jié)合虛擬樣機(jī)技術(shù),建立動力學(xué)仿真模型。通過對比仿真結(jié)果,分析了采用不同過渡曲線溝槽的絲杠換向時加速度和接觸力的變化值,表明正弦換向過渡曲線具有較為平穩(wěn)的運動特性,避免了柔性沖擊,有利于減輕振動,降低噪音,對往復(fù)絲杠的設(shè)計及研究提供了參考。

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溝槽與基坑

溝槽與基坑

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溝槽與基坑 4.7

一、溝槽與基坑的定義是什么? 凡溝槽底寬在3m以內(nèi),溝槽底長大于3倍槽底寬的為溝槽; 凡土方基坑底面積在20㎡以內(nèi)的為基坑; 凡溝槽底寬在3m以上,基坑底面積在20㎡以上,平整場地挖填方 厚度在±300mm以上,均按挖土方計算。 挖溝槽土方工程量:v=(b+2c+kh)hl其中b為基礎(chǔ)寬度,c為基礎(chǔ) 一側(cè)工作面寬度,k為放坡系數(shù),h為挖土深度,l為溝槽長度。(放坡 不支檔土板留工作面) 挖基坑土方工程量:土方量可按擬柱體積的公式計算,即 式中v——土方工程量,m3; h,f1,f2如圖所示。 f0——f1與f2之間的中截面面積,m2。 f1,f2分別為基坑的上下底面積(m2),對基槽或路堤,h為基 槽或路堤的長度(m),f1,f2為兩端的面積(m2); a)基坑土方量計算;b)基槽、路堤土方量計算 基槽與路堤通常根據(jù)其形狀(曲線、折

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埋氧溝槽柵雙極模式JFET的仿真與實驗最新文檔

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談溝槽式管件的應(yīng)用與發(fā)展 談溝槽式管件的應(yīng)用與發(fā)展 談溝槽式管件的應(yīng)用與發(fā)展

談溝槽式管件的應(yīng)用與發(fā)展

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談溝槽式管件的應(yīng)用與發(fā)展 4.7

介紹了溝槽式管件的組成和溝槽式管件的性能及優(yōu)點。重點對國內(nèi)存在的溝槽式管件產(chǎn)品質(zhì)量問題進(jìn)行了案例分析和總結(jié),并介紹了有關(guān)溝槽式管件的應(yīng)用規(guī)范和溝槽式管件連接技術(shù)在施工中應(yīng)該注意的事項。

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溝槽式襯板 溝槽式襯板 溝槽式襯板

溝槽式襯板

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溝槽式襯板 4.5

介紹了溝槽式襯板的結(jié)構(gòu)特點、研磨原理以及化學(xué)成分和鑄造工藝

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溝槽式襯板 溝槽式襯板 溝槽式襯板

溝槽式襯板

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溝槽式襯板 4.7

球磨機(jī)襯板,就其表面形式可分為普通式(單一弧面)、溝槽式和磁性式。目前,普通式因結(jié)構(gòu)簡單而被廣泛采用,但它的生產(chǎn)效率低,所磨出的產(chǎn)品品質(zhì)低;磁性襯板雖然其表面能吸附一層物料做保護(hù)層可延長使用壽命,但造價過高。溝槽式襯板既結(jié)構(gòu)合理,使生產(chǎn)效率、產(chǎn)品品質(zhì)提高,又造價較低讓生產(chǎn)者和應(yīng)用者雙雙受益。這里著重介紹這種襯板的結(jié)構(gòu)特點。

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溝槽式HDPE管

溝槽式HDPE管

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溝槽式HDPE管 4.6

溝槽式hdpe靜音排水管道系統(tǒng)介紹 溝槽式(hdpe)高密度聚乙烯靜音排水管(柔性環(huán)壓連接)采用 聚乙烯原料,添加抗氧化劑,防紫外線(uv)添加劑等,通過擠出機(jī) 一次性擠出成型。產(chǎn)品抗老化、強(qiáng)度高、耐磨性能好。同時具有優(yōu)異 的耐腐蝕、耐沖擊、耐低溫、自潤滑、流阻小等性能。管材和管件上 均有溝槽,管材溝槽采用本公司自主研發(fā)的全自動溝槽機(jī)刮槽再用 “c”型橡膠密封圈(epdm)套人管材和管件兩端,最后用本公司自 主研發(fā)的獨特的專用壓環(huán)(卡箍)連接。 溝槽式hdpe靜音排水系統(tǒng)優(yōu)點 環(huán)保--可回收;生產(chǎn)無污染;使用無毒無垢; 使用壽命長--與建筑同壽命; 超靜音-維護(hù)室內(nèi)居住品質(zhì); 水力特性優(yōu)良--輸送能力強(qiáng); 化學(xué)性穩(wěn)定--抗酸鹼耐腐蝕; 材質(zhì)重量輕--運輸安裝便易; 管材延展性和曲撓性強(qiáng)--良好抗震特性; 耐溫性良好--適合使用在全國各個地區(qū); 耐

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溝槽支護(hù)

溝槽支護(hù)

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溝槽支護(hù) 4.5

分項工程 名稱 *m 1/ 2/ 1/ 2/ 3/ 4/ 溝槽支護(hù)檢驗批質(zhì)量驗收記錄 施工單位 檢查結(jié)果 監(jiān)理單位 驗收結(jié)論 專業(yè)監(jiān)理工程師:年月日 主 控 項 目 一 般 項 目 主控項目全部合格,一般項目滿足規(guī)范規(guī)定要求;檢查評定合格 專業(yè)工長: 項目專業(yè)質(zhì)量檢查員:年月日 鋼板樁的軸線位移不得 大于50mm;垂直度不得 大于1.5% 第4.6.2.6條全符合要求√ 支撐后,溝槽中心線每 側(cè)的凈寬不應(yīng)小于施工 方案設(shè)計要求 第4.6.2.5條全符合要求√ 支撐構(gòu)件安裝應(yīng)牢固、 安全可靠,位置正確 第4.6.2.4條全符合要求√ 橫撐不得妨礙下管和穩(wěn) 管 第4.6.2.3條全符合要求√ 支護(hù)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、剛度、 穩(wěn)定性符合設(shè)計要求第4.6.2.2條全符合要求√

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微矩形溝槽熱管傳熱極限模型和實驗研究 微矩形溝槽熱管傳熱極限模型和實驗研究 微矩形溝槽熱管傳熱極限模型和實驗研究

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微矩形溝槽熱管傳熱極限模型和實驗研究 4.5

對微矩形溝槽熱管的傳熱極限進(jìn)行數(shù)學(xué)建模,并通過實驗討論分析熱管工質(zhì)物性群數(shù)nl、幾何結(jié)構(gòu)群數(shù)ge和重力比數(shù)hg三者對其傳熱極限的影響作用。研究表明,qc與ge和hg呈近似指數(shù)增長變化,而與nl成線性增長關(guān)系。熱管運行于較高溫度、合理的幾何結(jié)構(gòu)和有效利用重力的輔助作用,可明顯提高熱管的傳熱能力,同時也證明了該傳熱極限模型的正確性。

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任務(wù)三挖地槽和管溝槽的計量與計價

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任務(wù)三挖地槽和管溝槽的計量與計價 4.4

任務(wù)三挖地槽和管溝槽的計量與計價 第一步:資訊 在實訓(xùn)室集中播放土石方工程施工過程錄像;教師提出問題:①根據(jù)圖紙列分項工程(平 整場地,基礎(chǔ)釬探)。②基礎(chǔ)形式及做法。③土壤類別。④挖槽深度。⑤施工方式 一.地槽和管溝槽的計算 1.平整場地 (1)平整場地的工程量,按設(shè)計圖示尺寸以建筑物首層建筑面積計算。 (2)已做豎向布置挖填找平的土方工程,不再計算平整場地; 2.基礎(chǔ)釬探 基礎(chǔ)釬探的工程量,按設(shè)計圖示尺寸以建筑物首層建筑面積計算。 3.碾壓 建筑場地原土碾壓平整按圖示尺寸以平方米計算,填土碾壓按圖示填土面積乘以填土厚度 以立方米計算。 4.地槽是指槽底寬度在3米以內(nèi),槽長大于槽寬3倍的挖土。挖地槽長度、高度、斷面尺寸 計算規(guī)則如下: (1)溝槽的長度:外墻按圖示中心線長度計算;內(nèi)墻按圖示基礎(chǔ)底面之間的凈長線計算。 內(nèi)外突出部分(垛、附墻煙囪、垃圾道等)體積

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微溝槽熱管傳熱性能實驗研究

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微溝槽熱管傳熱性能實驗研究 4.6

為研究充液率、真空度和長度對熱管傳熱性能的影響作用,利用基于虛擬儀器技術(shù)的熱管傳熱性能測試平臺對直徑6mm的微梯形溝槽熱管在不同充液率、不同真空度以及不同長度等條件下進(jìn)行實驗測試。實驗表明:微溝槽熱管的最佳充液率在(75~100)%之間。熱管內(nèi)必須具備足夠低的真空度,且充液率需根據(jù)真空度的不同適當(dāng)調(diào)整。熱管長度縮短可以提高其傳熱性能,但長度較短時,需適當(dāng)提高充液率。

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挖溝槽

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挖溝槽 4.7

1 機(jī)械施工合同 甲方: 乙方: 雙方經(jīng)友好協(xié)商,現(xiàn)就段工程挖機(jī)、裝機(jī)施工明溝開 挖及土方倒運之事取得一致意見,有關(guān)協(xié)議條款如下: 一、甲方租用乙方挖掘機(jī)、裝機(jī),用于段明溝開挖工 程施工之用。 二、乙方應(yīng)保證機(jī)械狀態(tài)良好,能夠正常使用隨叫隨到。挖掘機(jī) 司機(jī)工資和機(jī)械修理費用乙方自理。 三、單價(含稅): 明溝開挖后由甲方施工員記錄乙方所完成的工程自然方量, 按工程量單價進(jìn)行結(jié)算,單價如下: 挖明溝土方帶倒運(溝槽邊2米不得堆土)8.5元/m3 四、結(jié)算:工程完畢后,以實際完成工程量甲乙雙方進(jìn)行結(jié)算, 溝槽挖成并結(jié)算后第一次支付乙方所干工程量的40%,待溝槽管道安 裝完工和回填后再支付乙方所挖工程量的40%,剩余的20%工程款 在管道完工后二月內(nèi)付清。 五、安全事項:在施工期間,甲乙雙方應(yīng)積極配合,防止任何安 全事故,如發(fā)生機(jī)械原因損害,乙方自行負(fù)責(zé)一切費用

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溝槽基坑挖

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溝槽基坑挖 4.7

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劉亮

職位:安裝預(yù)算員

擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林

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