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更新時(shí)間：2025.05.31
芯片設(shè)計(jì)和制造對(duì)銅絲鍵合工藝的影響分析

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芯片設(shè)計(jì)和制造對(duì)銅絲鍵合工藝的影響分析 【摘 要】 以實(shí)際案例為基礎(chǔ)分析， 從三極管芯片設(shè)計(jì)和制造上解決銅絲鍵 合工藝容易造成芯片彈坑損傷的問題。 【關(guān)鍵詞】 銅絲鍵合 彈坑 芯片結(jié)構(gòu) 1 概要 在半導(dǎo)體銅絲鍵合工藝中討論最多的都是在封裝鍵合領(lǐng)域內(nèi)討論如何改進(jìn) 設(shè)備，材料和工藝方法去匹配銅絲工藝， 提升銅絲工藝的可靠性和實(shí)用性， 但很 少有討論在芯片設(shè)計(jì)和制造方面能做多少改進(jìn)。 本文重點(diǎn)分析芯片設(shè)計(jì)制造對(duì)銅 絲工藝的的影響。 從銅絲鍵合工藝主要的失效分析統(tǒng)計(jì)來看， 銅絲工藝在鋁層彈坑損傷上要比 金絲工藝嚴(yán)重得多。 彈坑損傷在封裝工藝上總存在工藝寬容度窄， 控制難度高的 問題，容易影響三極管的良品率和可靠性。 所以改進(jìn)的目標(biāo)就定在如何能把芯片 鍵合區(qū)設(shè)計(jì)成能經(jīng)受住銅絲鍵合高強(qiáng)度沖擊而又不容易發(fā)生彈坑損傷或是能夠 緩沖銅絲鍵合沖擊應(yīng)力的鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)上。 2 鍵合區(qū)鋁層的分析 鍵合區(qū)鋁層是的主要作

12位單斜式線性放電ADC芯片設(shè)計(jì)

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隨著新型探測器的不斷發(fā)展,對(duì)讀出電子學(xué)的密集度和集成度要求越來越高。論文以傳統(tǒng)線性放電ADC為基礎(chǔ),針對(duì)多通道讀出芯片的高集成度要求,完成了12bit線性放電ADC模擬部分的ASIC設(shè)計(jì),同時(shí)通過片外FPGA對(duì)其進(jìn)行控制,兼顧測量和調(diào)試上的需求。

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