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污穢地區(qū)輸變電設(shè)備絕緣子爬電比距無(wú)法滿足基本的使用需求時(shí),可在設(shè)備瓷件表面通過(guò)安裝硅橡膠的方式來(lái)增大爬距裙,這也是避免設(shè)備被污閃的重要措施,可提高電氣設(shè)備的防污能力.通常情況下,利用硅橡膠增大爬距裙比電氣設(shè)備外絕緣傘裙大10cm左右,通過(guò)這種方式可改善絕緣子的受污和受潮條件,可起到良好的絕緣子設(shè)備保護(hù)作用.
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分析了電流爬升階段等離子體密度和電流爬升率對(duì)逃逸電子行為的影響,研究了低雜波輔助電流驅(qū)動(dòng)條件下的逃逸電子輻射行為。結(jié)果發(fā)現(xiàn):電流爬升階段等離子體密度的大小嚴(yán)重影響了電流爬升階段甚至電流平頂階段逃逸電子的行為,較低的等離子體密度將會(huì)導(dǎo)致放電過(guò)程中比較強(qiáng)的逃逸電子輻射;低能逃逸電子輻射隨著電流爬升率的增大而增強(qiáng);低雜波輔助電流爬升可以有效地節(jié)約裝置的伏秒數(shù);降低放電過(guò)程中的環(huán)電壓,可有效抑制逃逸電子的產(chǎn)生。
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